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NXP Semiconductors
PESD1CAN
CAN bus ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
24
V
I RM
V BR
C d
reverse leakage current
breakdown voltage
diode capacitance
V RWM = 24 V
I R = 5 mA
f = 1 MHz; V R = 0 V
-
25.4
-
<1
27.8
11
50
30.3
17
nA
V
pF
? C d /C d
diode capacitance
[1]
matching
f = 1 MHz; V R = 0 V
f = 1 MHz; V R = 2.5 V
-
-
0.1
0.1
-
-
%
%
V CL
clamping voltage
[2][3]
I PP = 1 A
I PP = 3 A
-
-
-
-
40
70
V
V
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
-
-
300
?
PESD1CAN_4
[1]
[2]
[3]
? C d is the difference of the capacitance measured between pin 1 and pin 3 and the capacitance measured
between pin 2 and pin 3.
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 3 or 2 to 3.
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 15 February 2008
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